SLD3090T 是一颗采用 Trench 工艺的 N 沟道功率 MOSFET，30 V/74 A 规格，典型 RDS(on) 仅 4.5 mΩ（10 V 驱动），栅极电荷 39 nC。专为 24 V 母线、锂电保护、电机驱动、DC-DC 同步整流等“大电流、高效率”场景设计，TO-252（D-Pak）封装兼顾散热与体积，是板级电源的“动力小钢炮”。

关键参数速览

封装与引脚（TO-252/D-Pak）

• 背面金属：与 Drain 同电位，直接焊在铜皮散热
• 源极脚：宽 1.5 mm，可过 50 A 电流（2 oz 铜）
• 栅极脚：串 10 Ω 电阻即可抑制振铃

典型特性曲线

1. RDS(on) vs ID：20 A 内几乎水平，4.5 mΩ 稳如老狗
2. RDS(on) vs Tj：125 ℃ 时上升 1.45 倍，仍 < 7 mΩ
3. VGS(th)：1.5 V 典型，2 V 饱和，兼容 3.3 V 逻辑驱动
4. Safe Operating Area：DC 74 A、10 ms 200 A、1 ms 500 A 安全区

应用电路：24 V 输入同步 Buck

24 V ──? 10 μF ─┬─? Q1 高边 ──? L 4.7 μH ──? 5 V/10 A
    │    │
    SLD3090T   100 nF
    │    │
DRV ──? 10 Ω ──G    └──? 470 μF ──? LOAD
    │
    GND

• 开关频率：500 kHz，Qg × fsw 损耗仅 19 mW
• 温升实测：IOUT = 20 A，Tc = 85 ℃，芯片表面 110 ℃，余量 40 ℃
• 效率：98.2 % @ 10 A，97.1 % @ 20 A

设计锦囊

1. 驱动电压：
   • 5 V 驱动：RDS(on) 6.5 mΩ，适合单片机直接推
   • 10 V 驱动：RDS(on) 4.5 mΩ，追求极致效率
2. 并联均流：
   两颗 SLD3090T 并联，源极各串 5 mΩ 铜线，电流误差 < 5 %
3. 雪崩冗余：
   电机负载并 TVS 33 V，雪崩能量 31 mJ 留 50 % 裕量
4. PCB 散热：
   背面铜皮 20 mm × 20 mm，2 oz，RthJA 从 62.5 ℃/W 降至 35 ℃/W

与竞品对比（同样 TO-252）

总结

SLD3090T 以其卓越的性能和高度集成的设计，为高电流应用提供了理想的解决方案。它不仅在导通电阻和栅极电荷方面表现出色，还通过优化的 Trench 工艺实现了低损耗和高效率。无论是用于 24 V 母线、锂电?；せ故堑缁?，SLD3090T 都能凭借其出色的性能和可靠性，助力工程师设计出更高效、更紧凑的电源管理系统。深圳三佛科技提供技术支持，批量价格有优势~