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在现代电子设备设计中，对电源管理芯片的性能和集成度要求越来越高。PL3325C，一款高效、高集成度的PWM功率开关，正以其卓越的性能和紧凑的设计，满足了这些日益增长的需求。这款芯片不仅提供了恒压和恒流的输出，还集成了多种?；すδ埽蛊湓诙嘀钟τ弥卸寄鼙硐殖錾?。三佛科技将深入探讨PL3325C芯片的详细规格、典型应用和设计优势，展示它如何为电子设计带来便利和效率。
| 项目 | 数值 | 备注 |
|---|---|---|
| 输入电压 | 90-264VAC | 全压 |
| 输出功率 | ≤12W | 自然散热 |
| 内置 MOSFET | 650V/4.8Ω (SOP) / 900V/5.5Ω (DIP) | 无需外部高压管 |
| 恒压精度 | ±5% | 原边反馈 |
| 恒流精度 | ±5% | 原边采样 |
| 空载功耗 | <75mW | 满足 CoC V5 |
| 开关频率 | 120kHz(max) / 550Hz(min) | PWM+PFM 复合 |
| 启动电流 | 5μA | 大启动电阻+小 VDD 电容 |
| 保护功能 | OCP/UVLO/OVP/OTP/开短路 | 全部自恢复 |
| 封装 | SOP7/DIP7/SOP8 | 兼容传统脚距 |
| 管脚 | 名称 | 描述 |
|---|---|---|
| 1 | GND | 芯片地，散热焊盘 |
| 2 | VDD | 芯片电源 15-27V，内部 UVLO |
| 3 | FB | 输出电压/退磁/线补偿多功能检测 |
| 4 | CS | 原边电流采样，恒流点编程 |
| 5-7 | DRAIN | 内置功率 MOSFET 漏极，接变压器原边 |
| 项目 | 实测值 | 备注 |
|---|---|---|
| 峰值效率 | 85.4%@230V/1A | 板端 |
| 空载功耗 | 65mW@230V | <75mW 规格 |
| 输出纹波 | 110mV | 20MHz带宽 |
| 恒流精度 | ±4.8% | 90-264V全压 |
| 恒压精度 | ±3.2% | 0-1A负载 |
| 动态负载 | ΔVo<±200mV | 0→1A 阶跃 |
| 雷击 | ±2kV L-N | PASS |
| 静电 | 接触±8kV | PASS |
| 封装 | 热阻 RθJA | 建议功率 | 特点 |
|---|---|---|---|
| SOP7 | 120°C/W | ≤8W | 单面纸基板可用 |
| DIP7 | 85°C/W | ≤12W | 插件，散热好 |
| SOP8 | 110°C/W | ≤10W | 多脚大铜皮 |
| 型号 | 封装 | 内MOS | 推荐功率 | 应用 |
|---|---|---|---|---|
| PL3325CS | SOP7 | 650V/4.8Ω | 5W-8W | 手机充电器 |
| PL3325CD | DIP7 | 900V/5.5Ω | 8W-12W | 小家电辅助电源 |
| PL3325CE | SOP8 | 650V/4.8Ω | 6W-10W | 智能锁、LED驱动 |
PL3325C 用一颗拇指盖大小的封装，把高压 MOSFET、原边 CV/CC 控制器、全套保护、线补偿、电感补偿全部集成：
综上所述，PL3325C芯片以其高效的性能、集成度高的设计和全面的?；すδ?，为电子设备设计提供了一个可靠和经济的电源解决方案。