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LP3798ESM+LP15R060S 12V2A高效小体积集成碳化硅 PSR低成本方案
类别:产品新闻 发布时间:2026-01-12 10:51:43 浏览人数:16333

在现代电子设备的设计中,对于电源解决方案的需求正变得越来越严苛,尤其是在空间受限和成本敏感的应用中。LP3798ESM与LP15R060S的组合提供了一个创新的解决方案,通过集成碳化硅(SiC)技术,实现了12V/2A的高效输出,同时保持了小体积和低成本。这一方案不仅满足了对高性能电源转换器的期待,还通过简化设计流程和降低元件数量,为工程师们提供了一个更加灵活和经济的选择。

LP3798ESM(主控)+LP15R060S(SiC 同步整流)是芯茂微推出的“All-in-One”12V2A 适配器参考设计。整个电源在 45mm×39mm 单面 PCB 上实现 90% 峰值效率、≤200mV 纹波、<0.07W 空载功耗,并一次性通过 EN55032 Class B 辐射与 4kV 浪涌。核心特点:

  • PSR 架构,无光耦、无 TL431,BOM 成本 ↓15%
  • 内置 600V 高压启动 + 碳化硅(SiC)同步 MOSFET,把体积压缩到指甲盖大小
  • 86-264VAC 全压输入,45℃ 带壳长期工作,适合小家电、智能锁、机顶盒等紧凑空间


实物图及PCB



规格总览


项目实测值备注
输入电压90-264VAC 47-63Hz全球市电
输出12V/2A24W 额定
峰值效率90.73%@230V板端,热机
空载功耗40mW@115V / 58mW@230V满足 CoC V5 Tier-2
输出纹波92mV@264V/2A<200mV 全范围
待机维持112ms@264V>20ms 安规红线
雷击±4kV L-PE/N-PEPASS
静电接触±8kV / 空气±15kVPASS


原理图



输出侧仅 2 颗 1000μF 电解 + 1μF 陶瓷,即完成 12V/2A 滤波;无 TL431、无光耦,靠原边稳压(PSR)实现 ±1% 精度。


器件功能一对一


位号型号作用
U1LP3798ESM原边 PSR 控制器,集成 600V 启动、斜坡补偿、OCP/OTP
U3LP15R060S60V/15mΩ SiC 同步 MOSFET + 驱动,替代肖特基,正向压降从 0.4V→0.1V
T1EE1705Ae=42mm2,PC95 磁材,漏感 <25μH,绕组结构 5+2+1
LF1UU9.8 20mH抑制 100kHz 开关谐波,配合 Y-Cy 通过 EMI
NTC2.5D-11冷态 5Ω,浪涌电流 ≤15A,开机应力↓
MOV10D561K差模 2kV、共模 4kV 雷击冗余


变压器设计亮点


  • Np:Ns:Na = 210:14:28,原边 0.28mm2 双线并绕,降低铜损
  • 屏蔽铜箔 1.5T,漏感实测 22μH,开关尖峰 <580V(264V 输入)
  • 骨架 5+2+1 槽,槽宽 8.2mm,可手工绕制,打样成本低



Bmax 计算公式(文档 19 条)


Bmax = Ip_pk × Lp × 103 / (Ae × Np)
@90V/2A 满载 Ip_pk=0.92A → Bmax≈0.29T <0.35T,远离饱和


性能细节拆解


  1. 效率曲线
    115V/2A 板端 90.2%,230V/2A 90.73%,比传统肖特基方案提升 3-4%,整机温升下降 8℃。
  2. 输出纹波
    230V 满载 94mV(示波器 20MHz 带宽),远低规格 200mV;次级 SiC 无反向恢复尖峰。
  3. 动态负载
    0-100% 5ms 阶跃,ΔVo=±1V,恢复时间 300μs,内置斜坡补偿保障 CCM 稳定。
  4. 短路保护
    打嗝重启,占空比降至 1/8,平均功耗 <0.5W;解除后自动软启,无过冲。
  5. 待机功耗
    芯片级 PFM+跳周期,空载频率 <1kHz;264V 仅 58mW,出口欧盟无需辅助待机电路。
  6. 保持时间
    264V 下 112ms,足以覆盖 16.7ms 电网缺口,后端电机驱动不掉速。


EMI 与可靠性


  • 辐射:水平/垂直 QP 余量 7dB@31MHz,内置频率抖动 + 屏蔽绕组,无需共模电感即可过 Class B
  • 浪涌:L-N 2kV、L/N-PE 4kV 正负各 7 次,输出无闪退
  • 静电:接触±8kV、空气±15kV A 级,适合塑料外壳无地线应用
  • 温度:壳内 45℃ 满载 4h,变压器磁芯 <105℃,满足 105K 温升红线
  • 应力:开机瞬间 Vds_max=592V,降额 600V 器件 92%,降额充足



尺寸与成本优势


方案对比传统 PWM+肖特基LP3798+SiC
PCB双面板 60×45mm单面板 59×46mm
器件数量38 颗33 颗
输出二极管2A/60V 肖特基0(内置 SiC)
共模电感必须可选
峰值效率86%90.7%
空载功耗120mW40mW
BOM 成本100%85%


快速设计 Checklist


  1. 输入电容:2×22μF/400V 电解 + 1μF/50V 陶瓷,靠近 VIN-GND
  2. 功率电感:68μH ±20%,饱和电流 ≥2A,DCR <0.3Ω
  3. 输出电容:1000μF/16V LOW-ESR ×2,纹波电流 >1.2A
  4. RCD 吸收:R=100kΩ/2W,C=1nF/1kV,D=S2M,钳位电压 <580V
  5. 变压器:按文档 4 条参数绕制,漏感 <25μH,层间加 3M 1298 胶带
  6. 安规:初次级爬距 >6mm,Y1 电容 4n7/400V 接冷点,满足双重绝缘


综上所述,LP3798ESM与LP15R060S的结合展示了在电源管理领域的一次飞跃。这一方案不仅以其卓越的性能参数和可靠性满足了工程师们对电源解决方案的期待,还通过其成本效益和设计简便性,为广泛的应用场景提供了可能。深圳三佛科技提供完整资料及技术支持,批量价格有优势~

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