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LP3798EAM/LP3798EBM/LP3798ESM原边控制SiC恒压恒流芯片24W/36W
类别:产品新闻 发布时间:2026-01-12 14:28:03 浏览人数:18462

LP3798EAM/EBM/ESM是芯茂微推出的「原边控制+内置SiC功率管」二合一方案,覆盖12V2A-12V3A(24W-36W)主流功率段。无需光耦、TL431和肖特基,单层PCB即可通过EMI Class B,峰值效率>91%,BOM数量比传统方案减少20%,特别适合小家电、智能锁、机顶盒、电动工具等成本敏感且空间受限的应用。

订购信息与功率选型


订购型号封装内阻推荐功率备注
LP3798EAMASOP-618W(90-265V) / 24W(176-265V)小外壳
LP3798EBMASOP-61.2Ω24W(90-265V) / 36W(176-265V)通用型
LP3798ESMASOP-61.0Ω24W(90-265V) / 36W(176-265V)小体积&大电流
所有子型号脚位兼容,仅SiC Rdson差异,可根据外壳尺寸和散热条件快速切换。


典型应用电路(24W 示例)



  • 输出电压由FB分压设定(公式见Datasheet 式1)
  • 恒流点由RCS设定(式11):IOCP ≈ VREFCCP·NP/(NS·RCS)
  • 无光耦、无TL431,单面PCB 45mm×39mm即可实现24W


管脚定义与封装



底部散热焊盘接GND,推荐开3×3过孔到内层铜,热阻θJA≈50°C/W。


内部框架图解读



  1. 750V SiC Power MOSFET —— 去掉外部高压MOS
  2. PFM+抖频振荡器 —— 100kHz/65kHz/24kHz三档,±3%周期抖动,EMI峰值降低5dB
  3. CV/CC双环路 —— 恒压时采样FB退磁电压;恒流时采样CS中心点电压与退磁占比乘积
  4. 逐周期?;た?—— OVP/UVP/OCP/OTP/TONMAX/FB开短路/CS开短路,全部自恢复
  5. 软启动&斜坡补偿 —— 13.5ms阶梯升峰,CCM占空比>50%也不出现次谐波振荡


应用设计要点


  1. 启动电阻RST
    选1MΩ-2MΩ/0.25W,启动电流仅2μA,待机功耗<75mW
  2. 变压器设计
    • NP:NA:NS推荐210:28:14(24W)
    • 漏感<25μH,降低尖峰
    • Bmax<0.35T,避免饱和
  3. RCS计算
    目标IOCP=2A,选RCS=0.25Ω/1W,公式见式11
  4. FB分压电阻
    RFBH=24k,RFBL=4.3k,得到12V±1%
  5. PCB布局
    • 功率环路(母线电容-D-变压器)面积<30mm2
    • CS采样电阻Kelvin到GND,远离高压节点
    • VCC旁路1μF+100nF紧靠2脚
    • 散热焊盘打9孔0.3mm到内层地,温升再降8°C


实测性能(参考24W Demo)


  • 峰值效率:91.2%@230V/1.5A
  • 空载功耗:58mW@230V
  • 输出纹波:120mV(20MHz带宽)
  • 动态负载0-100%:ΔVo<±200mV,恢复<400μs
  • 传导EMI:QP余量>6dB@500kHz,无需共模电感
  • 雷击:±4kV L-PE/N-PE PASS
  • OTP:150°C自恢复,45°C壳内满载4h无降额


子型号切换指南


  • 小外壳/散热差:选EAM(5Ω),成本低,18W足矣
  • 通用24W:EBM(1.2Ω),性价比最高
  • 36W/小体积:ESM(1.0Ω),导通损耗最小,注意铜箔散热



所有型号脚位相同,只需更改RCS与变压器匝比,一周内可完成平台切换。


深圳三佛科技提供技术支持,批量价格有优势~


总结


LP3798ExM系列把「750V SiC功率管+原边CV/CC控制+全套?;ぁ谷鳤SOP-6,用一颗芯片解决传统24W-36W适配器里“高压MOS+肖特基+光耦+431”的复杂架构。峰值效率>91%,待机<75mW,单层PCB过EMI,BOM成本立降20%。无论是小家电、智能锁还是电动工具,选择LP3798E就是选择“外围最少、体积最小、可靠性最高”的功率答案。

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