无肖特基：副边同步整流 LP15R060S（可?。?/div>
单层板 59×46mm，插件仅 7 颗
内部框架图解读
750V SiC Power MOSFET
直接省掉外部高压开关，Rdson 1.0Ω，温升低，雷击 4kV 仍有余量。
Peak-Current Mode Controller
内置 0.25-0.95V 斜坡补偿，CCM/DCM 自动切换，占空比>50% 无次谐波振荡。
三阶段 PFM
重载：100kHz 定频 + 峰值电流跟踪
中载：65→24kHz 降频，音频能量分散
空载：125Hz 跳周期，待机 40mW
抖频 EMI 引擎
128μs 大周期，±3% 频率摆动，传导峰值降低 5dB，无需共模电感即可过 Class B。
全功能?；た?/strong>
OVP/UVP/OCP/OTP/FB 开短路/CS 开短路/TONMAX，全部自恢复，提高产线良率。
关键设计公式与选型
输出电压设定
Vo = (VFB_REG + Icable·RFBH) · (NS/NA) + VD
VFB_REG=2.5V，Icable=36μA（内置线补），RFBH/RFBL 按匝比选取即可。
恒流点设定
IOCP = VREFCCP · NP /(NS·RCS)
VREFCCP=0.255V，NP:NS=210:14，RCS=0.25Ω → IOCP≈2.1A
变压器规格
磁芯：EE1705，Ae=42mm2，PC95
漏感 <25μH，降低 Vds 尖峰
Bmax=0.29T@90V/2A，远离饱和
输入/输出电容
Cin：2×22μF/400V + 1μF/50V 陶瓷；Cout：2×1000μF/16V LOW-ESR，纹波 92mV
性能速览（基于 12V2A 测试报告）
| 项目 | 实测值 | 备注 |
|---|
| 峰值效率 | 90.7%@230V/2A | 板端，热机 |
| 空载功耗 | 58mW@230V | 满足 CoC V5 Tier-2 |
| 输出纹波 | 92mV@264V/2A | <200mV 全范围 |
| 动态负载 0-100% | ΔVo=±1V，恢复 300μs | 内置斜坡补偿 |
| 保持时间 | 112ms@264V | >20ms 安规红线 |
| 雷击 | ±4kV L-PE/N-PE | PASS |
| 静电 | 接触±8kV/空气±15kV | PASS |
| OTP | 150℃自恢复 | 45℃壳内满载 4h 无降额 |
PCB 与布线要点
功率环路（母线电容→变压器→内置D）面积 <30mm2，走线宽短。
CS 采样电阻 Kelvin 到 GND，远离高压节点；RCS=0.25Ω/1W，紧贴 4 脚。
VCC 旁路 1μF+100nF 紧靠 2 脚，过孔到内层地。
FB 分压电阻靠近 3 脚，节点面积 <2mm×2mm，防止注入噪声。
散热：ASOP-6 底部焊盘打 9 孔 0.3mm 到内层铜，温升再降 8℃。
总结
LP3798ESM 用一颗 ASOP-6 芯片把 750V SiC、原边 CV/CC 控制器、全套?；ぁ⒍镀?EMI 全部集成，提供 24W 级别「全压输入、过认证、低成本、小体积」四大价值：
BOM 从 38 颗砍到 33 颗，成本立降 20%
峰值效率 90.7%，空载 <60mW，轻松满足全球能效
单层板+抖频技术，传导余量 >6dB，无需共模电感
雷击 4kV、静电 15kV、45℃ 壳内满载不死机，可靠性一步到位
综上所述，LP3798ESM芯片以其全压过认证、低成本和小体积的特性，为24W电源方案提供了一个全面而高效的解决方案。随着技术的不断进步和市场对电源解决方案要求的日益增长，LP3798ESM无疑将成为未来电源设计中的一个关键角色，推动更多创新电子产品的诞生。深圳三佛科技提供完整资料技术支持，批量价格有优势~
