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HN0501 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用常见的 SOT23-3L 封装，却拥有 100V 漏源耐压与 5A 连续电流能力，Rdson 典型值仅 135mΩ（@10V）。凭借“高耐压 + 低导阻 + 小体积”组合，它在中压、中小功率场合（LED 驱动、电机 H 桥、DC-DC 同步整流等）成为硬件工程师口袋里的“万能开关”。
| 项目 | 数值 | 单位 | 条件 |
|---|---|---|---|
| VDS | 100 | V | 漏源极限耐压 |
| ID | 5 | A | 连续漏极电流 |
| IDM | 20 | A | 脉冲电流 (300μs) |
| RDS(on) | 135 | mΩ | VGS=10V, ID=5A |
| VGS(th) | 1.8 | V | 典型门限 |
| Qg | 15.5 | nC | VGS=10V, ID=3A |
| PD | 2.5 | W | TA=25°C |
| TJ | -55~150 | °C | 工作结温 |
Rdson 随温度曲线25°C 时 135mΩ，150°C 约 1.8 倍，仍远低于同封装 100V 器件常见 200mΩ 水平。
结到环境热阻 RθJA=50°C/W（FR4, 1in2 铜）。
VGS≥6V 即进入可变电阻区，10V 完全饱和；5V 电平驱动也能获得 <160mΩ 导阻，兼容 3.3V MCU 直接推挽。
| 型号 | VDS/V | ID/A | RDSon/mΩ | Qg/nC | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|
| HN0501 | 100/5 | 135 | 15.5 | SOT23-3L | |
| AO3400A | 30/5.8 | 45 | 10.5 | SOT23-3L | 低压段 |
| IRFML8244 | 60/5.2 | 180 | 18 | SOT23-3L | 中压段 |
| HN0501 | 100/5 | 135 | 15.5 | SOT23-3L | 高压段 |
在 100V 级别里，HN0501 的导通电阻与栅电荷均处于领先，价格与交期优于国际大厂，适合大批量消费类与工业级应用。
HN0501 把 100V 耐压、135mΩ 低导阻和 15.5nC 低栅电荷浓缩进拇指盖大小的 SOT23-3L：
当空间、成本、可靠性必须同时兼顾时，HN0501 就是硬件工程师口袋里的“百伏级万能开关”。深圳三佛科技提供技术支持，批量价格有优势~